TQM300NB06CR RLG
Výrobca Číslo produktu:

TQM300NB06CR RLG

Product Overview

Výrobca:

Taiwan Semiconductor Corporation

Číslo dielu:

TQM300NB06CR RLG-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 6A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)

Inventár:

4999 Ks Nové Originálne Na Sklade
12945291
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TQM300NB06CR RLG Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Ta), 27A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.8V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1009 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 56W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balík zariadení dodávateľa
8-PDFNU (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
TQM300

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
1801-TQM300NB06CRTR-DG
1801-TQM300NB06CRRLGDKR
1801-TQM300NB06CRRLGTR
TQM300NB06CR
1801-TQM300NB06CRRLGCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
taiwan-semiconductor

TQM130NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU

taiwan-semiconductor

TQM025NB04CR RLG

MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU

stmicroelectronics

STL50NH3LL

MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP7NM60N

MOSFET N-CH 600V 5A TO220